技术文献

  • 可控硅应用线路中限制电流上升率di/dt的保护

    可控硅导通瞬间,电流上升率di/dt很大,当电流还来不及扩大到可控硅内部结的全部面积时,门极附近已出现局部过热而造成的损坏。电路中的电容量越大,di/dt也就越大。为此,在整流或者逆变电路中都要考虑限制di/dt的问题。       整流电路中如有变压器,其漏感虽对di/dt有一定的限制作用,但若变压器二次侧所接的RC吸收电路阻抗值过小或元件相并联时,晶闸管...

    2018-07-19 admin 25

  • 单向可控硅和双向可控硅在使用上主要有什么区别?

    1、单向可控硅产品的在阳极、阴极间加交流电,控制端即使有足够的控制信号,在交流过零时也会截止。2、可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,条件如下: A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位,3、控制极有足够的正向电压和电流,两者缺一不可。 B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位,2、阳极电流大于维持电流,两者缺一不可。 C、从导通到关断1、阳极电位低...

    2018-07-19 admin 1

  • 浅淡可控硅触发电流温度特性

    微触发(高灵敏度)单向可控硅一个重要的特性是使用时需要的门极触发信号很小,一般它的触发电流IGT≤150uA,但触发电流随温度变化而发生变化,高温时触发电流变小,80℃时只有常温(25℃)时的0.1-0.2倍,可控硅容易受干扰而误触发;而低温时触发电流变大,-40℃的触发电流是常温(25℃)时的8-9倍,可控硅不易触发。因此在设计可控硅触发电路时,只要有可能,尽量采用触发电流大的产品,在门极和阴极...

    2018-07-19 admin 7

  • 半导体可控硅集成电路的发展过程和特性

    (一)半导体可控硅集成电路的发展过程1.电工线路(电阻器、电感线圈、电容器等元器件組成,不包括半导体元器件) 2.半导体线路(电路中包括了二极管、晶体管和可控硅管等半导体器件)3.分立元器件电路4.半导体集成电路定义:把可控硅、电容和半导体器件集中制作在同一半导体基片上,並在内部实现互连的电路。小规模集成电路(SSI)-中规模集成电路(MSI)-大规模集成电路(LSI)-超大规模集成电路...

    2018-07-19 admin 2

  • 可控硅常用参数介绍

    IEC标准中用来表征晶闸管、二极管性能、特点的参数有数十项,但用户经常用到的有十项左右,本文就晶闸管、二极管的主要参数做一简单介绍。1.正向平均电流IF(AV)( 整流管)通态平均电流IT(AV)( 晶闸管)是指在规定的散热器温度THS或管壳温度 TC 时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。此时,器件的结温已达到其最高允许温度Tjm。台基公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS...

    2018-07-19 admin 2

  • 三象限可控硅和四象限可控硅的区别

    三象限可控硅较四象限可控硅的改进:与传统四象限 Triac 比较时,在较严苛的情况下运作时,新型的三象限 Triac 对误动作导通以及失控上拥有较佳的免役性,这些情况包括:1. 非线性或反动式负载,会在 Triac 上造成高电压变化(dv/dt)与电流变化(dI/dt)2. 接近最高新面温度时的高温运作,这时 Triac 会变得更灵敏且更容易失控3. 在阻断状态时,高杂讯电路在 Triac 上造成...

    2018-07-19 admin 0

  • 可控硅在调光器中的使用

    可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以...

    2018-07-19 admin 1